FP35R12U1T4

功能描述:IGBT 模块 IGBT Module 35A 1200V

RoHS:

制造商:Infineon Technologies

产品:IGBT Silicon Modules

配置:IGBT-Inverter

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:1.85 V

在25 C的连续集电极电流:54 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

功率耗散:250 W

最大工作温度:+ 150 C

封装 / 箱体:Module

封装:

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